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Samsung 990 PRO Heatsink M.2 NVMe SSD (MZ-V9P2T0CW), 2 TB, PCIe 4.0, 7.450 MB/s Lesen, 6.900 MB/s Schreiben, SSD mit Kühlkörper und RGB-Licht für Konsolen-Gaming und Videobearbeitung

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Samsung 990 PRO Heatsink M.2 NVMe SSD (MZ-V9P2T0CW), 2 TB, PCIe 4.0, 7.450 MB/s Lesen, 6.900 MB/s Schreiben, SSD mit Kühlkörper und RGB-Licht für Konsolen-Gaming und Videobearbeitung

Produktdetails

  • Die Samsung 990 PRO Heatsink M.2 NVMe SSD ist eine leistungsstarke PCIe 4.0 NVMe SSD, die für High-End-Gaming, Video- und 3D-Bearbeitung, Datenanalyse und mehr geeignet ist
  • Mit sequentiellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 / 6.900 MB/s für sowohl 1 TB- als auch 2 TB-Speicherkapazität bietet sie atemberaubende Geschwindigkeiten
  • Die SSD verfügt über eine Wärmekontrolle des NAND-Chips sowie Dynamic Thermal Guard-Technologie für die Temperaturregulierung, was zu hoher Zuverlässigkeit und langanhaltender Leistung führt
  • Mit einer Speicherkapazität von bis zu 2TB im kompakten M.2-Formfaktor (2280) ist sie passend für Playstation 5- und PC-Spiele mit DirectStorage-Funktion
  • Die kostenlose und benutzerfreundliche Software-Lösung Samsung Magician ermöglicht Laufwerk-Updates und Leistungsoptimierung.

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Bauart
Bauart intern Intern Intern intern intern intern Intern intern intern Intern intern Intern intern intern intern intern Intern Intern Intern intern
Kapazität
Kapazität 2.000 GB 2000 GB 2000 GB 1.000 GB 4.000 GB 500 GB 2000 GB 4.000 GB 4.000 GB 1000 GB 2.000 GB 2000 GB 2.000 GB 2.000 GB 1.000 GB 1.000 GB 1000 GB 1000 GB 1024 GB 1.024 GB
Protokolle
Protokolle NVMe NVMe NVMe NVMe NVMe NVMe - NVMe NVMe NVMe NVMe - NVMe NVMe NVMe NVMe - - - AHCI
Schnittstellen
Schnittstellen - - PCI Express 4.0 - - - SATA III - - PCI Express 3.0 - - - - - - PCI Express 4.0 SATA III PCI Express 4.0 -
Formfaktor
Formfaktor M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 2,5 Zoll M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 2,5 Zoll M.2 2,5 Zoll
Lesegeschwindigkeit
Lesegeschwindigkeit 7.450 MB/s 7450 MB/s 7000 MB/s 7.300 MB/s 7.300 MB/s 4.700 MB/s 560 MB/s 7.450 MB/s 7.450 MB/s 3500 MB/s 7.300 MB/s 5150 MB/s 7.300 MB/s 7.300 MB/s 7.450 MB/s 5.000 MB/s 7000 MB/s 520 MB/s 7000 MB/s 535 MB/s
Schreibgeschwindigkeit
Schreibgeschwindigkeit 6.900 MB/s 6900 MB/s 5100 MB/s 6.300 MB/s 6.600 MB/s 1.900 MB/s 530 MB/s 6.900 MB/s 6.900 MB/s 3000 MB/s 6.600 MB/s 4850 MB/s 6.600 MB/s 6.600 MB/s 6.900 MB/s 3.600 MB/s 5000 MB/s 500 MB/s 6000 MB/s 450 MB/s
Preis
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Infos zu diesem Artikel


  • Die Samsung 990 PRO Heatsink M.2 NVMe SSD ist eine leistungsstarke PCIe 4.0 NVMe SSD, die für High-End-Gaming, Video- und 3D-Bearbeitung, Datenanalyse und mehr geeignet ist
  • Mit sequentiellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 / 6.900 MB/s für sowohl 1 TB- als auch 2 TB-Speicherkapazität bietet sie atemberaubende Geschwindigkeiten
  • Die SSD verfügt über eine Wärmekontrolle des NAND-Chips sowie Dynamic Thermal Guard-Technologie für die Temperaturregulierung, was zu hoher Zuverlässigkeit und langanhaltender Leistung führt
  • Mit einer Speicherkapazität von bis zu 2TB im kompakten M.2-Formfaktor (2280) ist sie passend für Playstation 5- und PC-Spiele mit DirectStorage-Funktion
  • Die kostenlose und benutzerfreundliche Software-Lösung Samsung Magician ermöglicht Laufwerk-Updates und Leistungsoptimierung.
Abmessungen & Gewicht
Abmessungen (Breite) 24,3 mm
Abmessungen (Länge) 80 mm
Abmessungen (Höhe) 8,2 mm
Gewicht 28 g
Anschlüsse
Bus-Typ PCIe 4.0 x4
Verbrauchsangaben & Materialien
Leistungsaufnahme (Betrieb) 8,5 Watt
Sicherheit
Sicherheitsalgorithmen AES 256-Bit
Generelle Merkmale
Formfaktor M.2
Bauart intern
Protokolle NVMe
Kapazität 2.000 GB
Speichertyp 3D V-NAND
Kompatibilität PlayStation 5
Produktserie Samsung 990 Series
Schockresistent bis 1.500 G
Ausstattung
Funktionen Dynamic Thermal Guard, TRIM Support, SMART, Garbage Collection, Device Sleep
Art der Kühlung Kühlkörper
Ausstattung RGB-Beleuchtung
Speicher
Speichercontroller Samsung Pascal
Maximales Schreibvolumen (TBW) 1.200 TB
IOPS (Schreiben) 1.550.000
IOPS (Lesen) 1.400.000
Arbeitsspeicher-Typ LPDDR4
Technische Details
Fertigungsprozess 8 nm
Lesegeschwindigkeit 7.450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit 6.900 MB/s
Betriebstemperatur 0 - 70 °C
Puffer 2.048 MB
MTBF (mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen) 1.500.000 h

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